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進口晶圓清洗機采用旋轉噴淋技術實現清洗功能，清洗方法是利用所噴液體的溶解作用來溶解硅片表面的污漬，同時利用高速旋轉的離心作用，使溶有雜質的液體及時脫離硅片表面。同時由于所噴液體與旋轉的硅片有較高的相對速度，會產生較大的沖擊力，實現清除吸附雜質。清洗完成后采用惰性氣體直接干燥，完成對硅片的清洗。進口晶圓清洗機的應用：1、帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片2、Ge,GaAs以及InP晶圓片清洗3、CMP處理后的晶圓片清洗4、晶圓框架上的切粒芯片清洗5、等離子刻蝕或光刻膠剝離后的清洗...

空間環境模擬試驗設備腔體的大致尺寸為：直徑24"，長度43"。帶有一個16"x32"的滑動加熱平，可以冷卻到零下100攝氏度。熱真空平臺也可以加熱到150攝氏度，具有高度的均勻度。在去邊3cm后整個平臺的溫度均勻度可達/-1攝氏度。加熱平臺安裝在滾軸上，可以方便拉出至大到75%的長度，腔體提供20個RF連接頭，尺寸為2.92mm，可以支持高達40GHz的頻率。腔體的兩側分別有一個50針的引線。真空系統包含HiPace1200（1000L/s抽速）渦輪分子泵以及一個ISP500...

RIE刻蝕機是干蝕刻的一種，這種蝕刻的原理是，當在平板電極之間施加10～100MHZ的高頻電壓（RF，radiofrequency）時會產生數百微米厚的離子層（ionsheath），在其中放入試樣，離子高速撞擊試樣而完成化學反應蝕刻，此即為RIE（ReactiveIonEtching）。因此為了得到高速而垂直的蝕刻面，經加速的多數離子不能與其他氣體分子等碰撞，而直接向試樣撞擊。為達到此目的，必須對真空度，氣體流量，離子加速電壓等進行最佳調整，同時，為得到高密度的等離子體，需用...

Nano-Master的遠程微波等離子體化學氣相沉積（PECVD）系統應用范圍廣泛，包含：基片或粉體的等離子誘導表面改性等離子清洗粉體或顆粒表面等離子聚合SiO2,Si3N4或DLC及其他薄膜CNT和石墨烯的選擇性生長單晶或多晶金剛石生長微波模塊：NANO-MASTER高質量長壽命遠程微波源，頻率為2.45GH，微波發射功率可以自主調節，微波反射功率可通過調節降低至發射功率的千分之一以內。遠程微波源，可實現無損傷缺陷的沉積或生長。設備腔體：水冷側壁，確保在高溫工藝下腔體外表面...

主要用途：MEMS壓力傳感器加工工藝中光刻膠批量處理；去除有機或無機物，而無殘留；去膠渣、深刻蝕應用；半導體晶圓制造中光刻膠及SU8工藝；平板顯示生產中等離子體預處理；太陽能電池生產中邊緣絕緣和制絨；先進晶片(芯片)封裝中的襯底清潔和預處理；工作原理介紹：為了產生等離子，系統使用遠程微波源。氧在真空環境下受高頻及微波能量作用，電離產生具有強氧化能力的游離態氧原子，它在高頻電壓作用下與光刻膠薄膜反應，反應后生成的CO2和H2O通過真空系統被抽走。CF4氣體可以達到更快速的去膠速...

兆聲清洗機是一款帶有小占地面積的理想設備，并且很容易安裝在空間有限的超凈間中。該系列設備都具有出眾的清洗能力，并可用于非常廣泛的基片。提供了可控的化學試劑滴膠能力，這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進一步加強。SWC和LSC具備對點試劑滴膠系統，可以zui大程度節省化學試劑的用量的。滴膠系統支持可編程的化學試劑混合能力，提供了可控的化學試劑在整個基片上的分布。兆聲清洗機具有以下特點：1、械手或多機械手組合，實現工位工藝要求。2、PLC全程序控制與觸摸屏操作界面，操作便利。3、...

硅片清洗機是利用超聲波清洗技術，在清洗過程中超聲波頻率在合理的范圍內往復掃動，帶動清洗液形成細微回流，使工件污垢在被超聲剝離的同時迅速帶離工件表面，提高清洗效率。一、硅片清洗機的工作原理是什么1、真空脫氣，有效去除液體中氣體，且運用拋動功能，增強超聲對工件表面油污和污垢的清洗能力，縮短清洗時間。2、洗籃轉動機構，重疊不可分拆的零件或形狀復雜的零件，也可做到均勻完整的清洗。3、減壓真空系統，能吸出盲孔、縫隙及疊加零件之間的空氣，使超聲波在減壓的狀態下產生驚人的清洗效果。4、真空...

微波等離子去膠機適用于小批量生產和研發的設備。并且，此系統可以滿足360度的芯片封裝需要。AL18系統是一款創新型的通用設備，可選配旋轉轉盤，及ECR(電子回旋共振)裝置。微波等離子去膠機的工作原理：氧等離子去膠是利用氧氣在微波發生器的作用下產生氧等離子體，具有活性的氧等離子體與有機聚合物發生氧化反應，是的有機聚合物被氧化成水汽和二氧化碳等排除腔室，從而達到去除光刻膠的目的，這個過程我們有時候也稱之為灰化或者掃膠。氧等離子去膠相比于濕法去膠工藝更為簡單、適應性更好，去膠過程純...