CMP后清洗機-單晶圓/掩膜版兆聲清洗：兆聲和清洗技術的發展，對MEMS和半導體等領域的晶圓和掩模版清洗提供了高超的水平，可以幫助用戶獲得干凈的晶圓片和掩模版。

NANO-MASTER提供兆聲清洗系統，使用*的無損兆聲清洗。可以適用于易受損的帶圖案或無圖案的基片，包含帶保護膜的掩模版。為了在確保不損傷基片的情況下達到優化的清洗效果，兆聲能量的密度必須保持在稍稍低于樣片上任意位置上的損傷閾值。NANO-MASTER的技術確保了聲波能量均勻分布到整個基片表面，通過分布能量的z大化支持z理想的清洗，同時保證在樣片的損傷閾值范圍內。

SWC系統提供了可控的化學試劑滴膠能力，這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進一步加強。SWC和LSC具備對點試劑滴膠系統，可以*節省化學試劑的用量的。滴膠系統支持可編程的化學試劑混合能力，提供了可控的化學試劑在整個基片上的分布。

通過聯合使用化學試劑滴膠和NANO-MASTER的兆聲清洗技術，系統去除顆粒的能力得到進一步優化。顆粒從表面被釋放的能力也因此得到提升，從而被釋放的顆粒在幅流的DI水作用下被掃除出去，而把回附的數量降到了z低水平。從基片表面被去除。如果沒有使用幅流DI水的優勢，*進的靜態可循環兆聲清洗槽會有更大數量的顆粒回附，并且因此需要更多的去除這些顆粒。

此外，NANO-MASTER的清洗機都還提供了一系列的選配功能。PVA軟毛刷提供了機械的方式去除無圖案基片上的污點和殘膠。DI水臭氧化的選配項提供了有機物的去除，而無須腐蝕性的化學試劑。我們的氫化DI水系統跟兆聲能量結合可以達到納米級的顆粒去除。根據不同的應用，某些選配項將會進一步提高設備去除不想要的顆粒和殘留物的能力。

兆聲清洗系統能夠就地實現熱氮或異丙醇甩干。“干進干出" 一步工藝可以在我們的系統中以z低的投資和購置成本來實現。NANO-MASTER清洗機的工藝處理時間可以在3-5分鐘內完成，具體是3分鐘還是5分鐘取決于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情況。

NANO-MASTER的技術也適用于清洗背部以及帶保護膜掩模版前面的對準標記，降低這些掩模版的不必要去除和重做保護膜的幾率。它也可以用于去除薄膜膠黏劑的黏附性并準備表面以便再次覆膜。此外，帶薄膜掩模版的全部正面的兆聲清洗以及旋轉甩干可以做到無損并且對薄膜無滲漏。

CMP后清洗機-單晶圓/掩膜版兆聲清洗應用：

• 濕法刻蝕

• 帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片

• Ge, GaAs以及InP晶圓片清洗

• CMP處理后的晶圓片清洗

• 晶圓框架上的切粒芯片清洗

• 等離子刻蝕或光刻膠剝離后的清洗

• 帶保護膜的分劃版清洗

• 掩模版空白部位或接觸部位清洗

• X射線及極紫外掩模版清洗

• 光學鏡頭清洗

• ITO涂覆的顯示面板清洗

• 兆聲輔助的剝離工藝

  
  

特點：

• 支持12"直徑的圓片或7"x7"方片

• 獨立系統

• 無損兆聲,試劑，毛刷清洗及旋轉甩干

• 微處理機自動控制

• 化學試劑滴膠單元

• 溶劑與酸分離排廢

• 熱氮

• 30"D x 26"W 的占地面積

選配項：

• 多系統集成

• 掩模板或晶圓片夾具

• 臭氧清洗

• PVA軟毛刷清洗

• 高壓DI清洗

• 氮氣離子發生器

• 機械手自動上下載片