等離子去膠機具有體積小，性能優良、用途多、工藝速率高、均勻性及重復性好、價格低、使用方便等特點。是各電子器件企業及科研單位、大專院校的機型。適合于微電子制作工藝中光刻膠的去膠工藝，同時有RIE刻蝕功能，可以刻蝕Si、SiO2、SiN。已出口國外。
等離子去膠機主要性能：
1.開放式設計，可快速加載和卸載晶圓。
2.基片放置在石英上，以避免濺射/再沉積電極材料
3.通過頂部電極上的“蓮蓬頭”進氣口將氣體注入工藝室
4.電感耦合等離子體(ICP)和電極的獨立射頻發生器提供對離子能量和離子密度的獨立控制
5.高電導泵浦端口提供高的氣體吞吐量，以最快的腐蝕速率
6.使用等離子體源，生成單原子反應種。氧是最常見的反應物質。
影響等離子去膠機處理效果的四大因素：
1.頻率的調整：頻率越高，氧越易電離構成等離子體。頻率太高，以致電子振幅比其平均自由程還短，則電子與氣體分子磕碰概率反而減少，使電離率降低。
2.功率的調整：關于必定量的氣體，功率大，等離子體中的的活性粒子密度也大，去膠速度也快；但當功率增大到必定值，反響所能耗費的活性離子到達飽滿，功率再大，去膠速度則無顯著添加。由于功率大，基片溫度高，所以應根據技術需求調理功率。
3.真空度的調整：恰當的真空度，可使電子運動的平均自由程變大，因而從電場取得的能量就大，有利電離。別的當氧氣流量必守時，真空度越高，則氧的相對份額就大，發生的活性粒子濃度也就大。但若真空度過高，活性粒子濃度反而會減小。
4.氧氣流量的調整：氧氣流量大，活性粒子密度大，去膠速率加速；但流量太大，則離子的復合概率增大，電子運動的平均自由程縮短，電離強度反而降低。若反響室壓力不變，流量增大，則被抽出的氣體量也添加，其間尚沒參與反響的活性粒子抽出量也隨之添加，因而流量添加對去膠速率的影響也就不甚顯著。
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更新時間：2023-02-26 
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