等離子刻蝕機是基于真空中的高頻激勵而產生的輝光放電將四氟化碳中的氟離子電離出來從而獲得化學活性微粒與被刻蝕材料起化學反應產生輝發性物質進行刻蝕的。同時為了保證氟離子的濃度和刻蝕速度必須加入一定比例的氧氣生成二氧化碳。
在眾多半導體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術之一。刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學腐蝕進行，是傳統的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點，即在刻蝕過程中不但有所需要的縱向刻蝕，也有不需要的橫向刻蝕，因而精度差，線寬一般在3um以上。RIE-PE刻蝕機是因大規模集成電路生產的需要而開發的精細加工技術，它具有各向異性特點，在zui大限度上保證了縱向刻蝕，還可以控制橫向刻蝕。本節介紹的硅刻蝕機就是屬于干法ICP刻蝕系統。它被廣泛應用在微處理器（CPU）、存儲（DRAM）和各種邏輯電路的制造中。
在眾多半導體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術之一。刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學腐蝕進行，是傳統的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點，即在刻蝕過程中不但有所需要的縱向刻蝕，也有不需要的橫向刻蝕，因而精度差，線寬一般在3um以上。等離子刻蝕機是因大規模集成電路生產的需要而開發的精細加工技術，它具有各向異性特點，在zui大限度上保證了縱向刻蝕，還可以控制橫向刻蝕。本節介紹的硅刻蝕機就是屬于干法ICP刻蝕系統。它被廣泛應用在微處理器（CPU）、存儲（DRAM）和各種邏輯電路的制造中。
在眾多半導體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術之一。刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學腐蝕進行，是傳統的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點，即在刻蝕過程中不但有所需要的縱向刻蝕，也有不需要的橫向刻蝕，因而精度差，線寬一般在3um以上。RIE-PE刻蝕機是因大規模集成電路生產的需要而開發的精細加工技術，它具有各向異性特點，在zui大限度上保證了縱向刻蝕，還可以控制橫向刻蝕。介紹的RIE-PE刻蝕機就是屬于干法ICP刻蝕系統。
等離子刻蝕機主要對太陽能電池片周邊的P—N結進行刻蝕，使太陽能電池片周邊呈開路狀態。也可用于半導體工藝中多晶硅，氮化硅的刻蝕和去膠。
等離子刻蝕機主要是用保真度、選擇比、均勻性等參數來衡量。所謂保真度度，就是要求把光刻膠的圖形轉移到其下的薄膜上，即希望只刻蝕所要刻蝕的薄膜，而對其上的掩膜和其下的襯底沒有刻蝕。事實上，以上三個部分都會被刻蝕，只是刻蝕速率不同。選擇比就是用來衡量這一指標的參數。S=V/U（V為對薄膜的刻蝕速率，U為對掩膜或襯底的刻蝕速率），S越大則選擇比越好。由于跨越整個硅片的薄膜厚度和刻蝕速率不盡相同，從而也導致圖形轉移的不均勻，尤其是中心和邊緣相差較大。因而均勻性成為衡量這一指標的重要參數。除以上參數外，刻蝕速率也是一個重要指標，它用來衡量硅片的產出速度，刻蝕速率越快，則產出率越高。
等離子刻蝕機是以物理濺射為主并兼有化學反應的過程。通過物理濺射實現縱向刻蝕，同時應用化學反應來達到所要求的選擇比，從而很好地控制了保真度。
刻蝕機是基于真空中的高頻激勵而產生的輝光放電將四氟化碳中的氟離子電離出來從而獲得化學活性微粒與被刻蝕材料起化學反應產生輝發性物質進行刻蝕的。同時為了保證氟離子的濃度和刻蝕速度必須加入一定比例的氧氣生成二氧化碳。
刻蝕機主要對太陽能電池片周邊的P—N結進行刻蝕，使太陽能電池片周邊呈開路狀態。也可用于半導體工藝中多晶硅，氮化硅的刻蝕和去膠。
在眾多半導體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術之一。刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學腐蝕進行，是傳統的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點，即在刻蝕過程中不但有所需要的縱向刻蝕，也有不需要的橫向刻蝕，因而精度差，線寬一般在3um以上。刻蝕機是因大規模集成電路生產的需要而開發的精細加工技術，它具有各向異性特點，在zui大限度上保證了縱向刻蝕，還可以控制橫向刻蝕。介紹的刻蝕機就是屬于干法ICP刻蝕系統。
1、等離子刻蝕機為了適應工藝發展需求，各家設備廠商都推出了一系列的關鍵技術來滿足工藝需求。主要有以下幾類；
2、等離子體技術：等離子體密度和能量單獨控制。
3、等離子體約束：減少Particle，提高結果重復性。
4、工藝組件：適應不同工藝需求，對應不同的工藝組件，比如不同的工藝使用不同。
5、雙區進氣的目的是通過調節內外區敏感氣體的量提高整個刻蝕均一性，結果比較明顯。
6、反應室結構設計；由200mm時的側抽，改為下抽或者側下抽。有利于提高氣流均一性。
5、窄的Gap設計可以使得電子穿過殼層，中和晶圓上多余的離子，有利于提高刻蝕剖面陡直度。
刻蝕精度主要是用保真度、選擇比、均勻性等參數來衡量。所謂保真度度，就是要求把光刻膠的圖形轉移到其下的薄膜上，即希望只刻蝕所要刻蝕的薄膜，而對其上的掩膜和其下的襯底沒有刻蝕。事實上，以上三個部分都會被刻蝕，只是刻蝕速率不同。選擇比就是用來衡量這一指標的參數。S=V/U（V為對薄膜的刻蝕速率，U為對掩膜或襯底的刻蝕速率），S越大則選擇比越好。由于跨越整個硅片的薄膜厚度和刻蝕速率不盡相同，從而也導致圖形轉移的不均勻，等離子刻蝕機尤其是中心和邊緣相差較大。因而均勻性成為衡量這一指標的重要參數。除以上參數外，刻蝕速率也是一個重要指標，它用來衡量硅片的產出速度，刻蝕速率越快，則產出率越高。
等離子刻蝕機是以物理濺射為主并兼有化學反應的過程。通過物理濺射實現縱向刻蝕，同時應用化學反應來達到所要求的選擇比，從而很好地控制了保真度。
在眾多半導體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術之一。刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學腐蝕進行，是傳統的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點，即在刻蝕過程中不但有所需要的縱向刻蝕，也有不需要的橫向刻蝕，因而精度差，線寬一般在3um以上。等離子刻蝕機是因大規模集成電路生產的需要而開發的精細加工技術，它具有各向異性特點，在大限度上保證了縱向刻蝕，還可以控制橫向刻蝕。本節介紹的硅刻蝕機就是屬于干法ICP刻蝕系統。它被廣泛應用在微處理器（CPU）、存儲（DRAM）和各種邏輯電路的制造中。
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更新時間：2019-05-24 
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